4月17日，石峰区田心高科园内，时代电气大功率半导体重点实验室暨碳化硅器件产业化项目现场机器轰鸣、一派繁忙。该项目占地约28.83亩，总投资逾3亿元，建设内容包括组建SiC芯片模块封装及功率器件重点实验室、北门基地烧结型器件搬迁等。项目建成后，能够加速碳化硅基地大功率电力电子器件关键技术突破，提升在行业中的影响力和竞争力，每年新增工业总产值3亿元。

　　株洲日报/株洲新闻网记者 易翔